半导体器件物理与工艺（第三版）
内容简介：
《半导体器件物理与工艺（第三版）》分三大部分：第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件，最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。
作者：（美国）施敏 译者：王明湘 赵鹤鸣
施敏，获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963—1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施教博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研完机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程令应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士。
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